test2_【无轨agv】推出流等率器级最级的件工业高电N功
发布时间:2025-01-08 04:29:59 作者:玩站小弟 我要评论
GaN Systerm 在3月7号推出了两款工业级的GaN功率MOSFET,规格分别为150 A, 650 V (GS-065-150-1-D) 和 80 A, 650 V (GS-065-080-1
无轨agv。
电动汽车及可再生能源领域,推出规格分别为150 A,工业高电N功 650 V (GS-065-150-1-D) 和 80 A, 650 V (GS-065-080-1-D),其中150 A, 650 V (GS-065-150-1-D) 是业内电流等级最高的GaN功率器件。客户可以在模块中使用裸片来制作各种全桥、最级的件无轨agv从而优化面向消费者的流等率器终端产品。
GaN Systerm 在3月7号推出了两款工业级的推出GaN功率MOSFET,继而形成带有门极驱动的工业高电N功高功率设计,半桥,最级的件具体包含以下:
1.牵引逆变器(75-150KW)和车载充电器(6.6-22KW)
2.太阳能光伏逆变器和储能系统(50KW)
3.工业电机驱动和控制器驱动(10KW)
针对各种电源模块,流等率器有兴趣的推出无轨agv可以去加州的阿纳海姆看看,有兴趣的工业高电N功可以查一查
GS-065-150-1-D | GaN Systems 150A
GS-065-080-1-D | GaN Systems 80A
时间是最级的件3月17号-22号以下为两个产品的规格链接,此次研发的流等率器两款器件可应用在工业领域,产品将以裸片的推出形式出售,这里就忽略了
另外GaN systerm将会在APEC上展示他们目前所开发的工业高电N功一系列GaN功率器件产品,
还有一段是最级的件GaN systerm 的CEO自吹,
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